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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
S2M0160120D | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S2M0160120D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S2M0160120D |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 196mOhm bei 10A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 2,5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 513 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 130W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247AD | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 245
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.18000 | Fr. 4.18 |
| 10 | Fr. 2.77500 | Fr. 27.75 |
| 300 | Fr. 1.73760 | Fr. 521.28 |
| 600 | Fr. 1.61423 | Fr. 968.54 |
| 1’200 | Fr. 1.55010 | Fr. 1’860.12 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.18000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.51858 |
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