Name: S3M0012120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0012120D-ND
Price: 18.10675 CHF
Availability: InStock

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N-Kanal 1200 V 155 A (Tc) 937W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD

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S3M0012120D
DigiKey-Teilenr.	1655-S3M0012120D-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S3M0012120D
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET, 12MOHM,1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 155 A (Tc) 937W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 40mA
Herst. SMC Diode Solutions	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 347 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +18V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6358 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 937W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 155 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16mOhm bei 100A, 18V

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