Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW40N120G2VAG-ND
Price: 14.87456 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTW40N120G2VAG
DigiKey-Teilenr.	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTW40N120G2VAG
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 33 A (Tc) 290W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	105mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1230 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	290W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	HiP247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCTW40

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30	Fr. 8.53433	Fr. 256.03
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