Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 15.28534 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTWA60N120G2-4
DigiKey-Teilenr.	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTWA60N120G2-4
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTWA60N120G2-4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1969 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Verfügbar bis: 15.02.2026

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 14.14000	Fr. 14.14
10	Fr. 11.23800	Fr. 112.38
30	Fr. 10.39133	Fr. 311.74
120	Fr. 9.63467	Fr. 1’156.16
270	Fr. 9.31100	Fr. 2’513.97
510	Fr. 9.10400	Fr. 4’643.04

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