32 PowerDIP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STGSH80HB65DAG

DigiKey-Teilenr.
497-STGSH80HB65DAG-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STGSH80HB65DAG
Beschreibung
IGBT MOD 650V 83A 9-ACEPACK SMIT
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Halbbrücke 650 V 83 A 250 W Oberflächenmontage 9-ACEPACK SMIT
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STGSH80HB65DAG Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
STMicroelectronics
Serie
HB
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
-
Konfiguration
Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
83 A
Leistung - Max.
250 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 80A
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
10450 pF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
9-PowerSMD
Gehäusetyp vom Lieferanten
9-ACEPACK SMIT
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1Fr. 16.91000Fr. 16.91
10Fr. 12.14900Fr. 121.49
200Fr. 9.70000Fr. 1’940.00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 16.91000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 18.27971