STP11NM60ND ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP11NM60ND

DigiKey-Teilenr.
497-8442-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP11NM60ND
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP11NM60ND Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
850 pF @ 50 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STF13N60DM2STMicroelectronics279497-16961-NDFr. 2.28000Vom Hersteller empfohlen
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Obsolet
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