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N-Kanal 650 V 17 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP21N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-STP21N65M5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP21N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 17 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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 Datenblatt
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STP21N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1950 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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1Fr. 4.10000Fr. 4.10
50Fr. 2.13360Fr. 106.68
100Fr. 1.94430Fr. 194.43
500Fr. 1.61272Fr. 806.36
1’000Fr. 1.51953Fr. 1’519.53
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