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N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
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STU6N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-15044-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STU6N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STU6N65M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.8 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
226 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,35Ohm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPU60R1K5CEAKMA2Infineon Technologies844IPU60R1K5CEAKMA2-NDFr. 0.88000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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75Fr. 0.57947Fr. 43.46
150Fr. 0.51847Fr. 77.77
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