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Parametrisches Äquivalent

STW18NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 532
Stückpreis : Fr. 43.84000
Datenblatt

Ähnlich

IRFP22N60KPBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 2
Stückpreis : Fr. 58.24000
Datenblatt

Ähnlich

IRFP26N60LPBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IRFP27N60K
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000

Ähnlich

IRFP27N60KPBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IXFH18N60X
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 34.30400

Ähnlich

IXFH28N60P3
IXYS
Vorrätig: 1
Stückpreis : Fr. 51.58000
Datenblatt

Ähnlich

IXFH30N60Q
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 44.72733

Ähnlich

IXFK32N60
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 76.32640

Ähnlich

IXFR30N60P
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 46.93033

Ähnlich

IXFX32N80Q3
IXYS
Vorrätig: 540
Stückpreis : Fr. 195.52000
Datenblatt

Ähnlich

IXFX38N80Q2
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IXTH20N65X
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 33.58953
Datenblatt

Ähnlich

IXTH26N60P
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 29.77833
Datenblatt
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TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STW19NM60N

DigiKey-Teilenr.
497-13792-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STW19NM60N
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW19NM60N Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
285mOhm bei 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW19
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