GT50JR22(STA1,E,S)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK7J90E,S1E

DigiKey-Teilenr.
TK7J90ES1E-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK7J90E,S1E
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 7 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK7J90E,S1E Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2Ohm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P(N)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

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25Fr. 1.55840Fr. 38.96
100Fr. 1.43470Fr. 143.47
500Fr. 1.17478Fr. 587.39
1’000Fr. 1.09173Fr. 1’091.73
2’000Fr. 1.08400Fr. 2’168.00
Standardverpackung des Herstellers
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