
TK7J90E,S1E | |
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DigiKey-Teilenr.   | TK7J90ES1E-ND  | 
Hersteller   | |
Hersteller-Teilenummer   | TK7J90E,S1E  | 
Beschreibung  | MOSFET N-CH 900V 7A TO3P  | 
Standardlieferzeit des Herstellers   | 16 Wochen  | 
Kundenreferenz   | |
Detaillierte Beschreibung  | N-Kanal 900 V 7 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P(N)  | 
Datenblatt   | Datenblatt | 
EDA/CAD-Modelle  | TK7J90E,S1E Modelle | 
Typ   | Beschreibung  | Alle auswählen  | 
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Kategorie  | ||
Herst.  | ||
Serie  | ||
Verpackung  | Stange  | |
Status der Komponente  | Aktiv  | |
FET-Typ  | ||
Technologie  | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss)  | 900 V  | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C  | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))  | 10V  | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs  | 2Ohm bei 3,5A, 10V  | |
Vgs(th) (max.) bei Id  | 4V bei 700µA  | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs  | 32 nC @ 10 V  | |
Vgs (Max.)  | ±30V  | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds  | 1350 pF @ 25 V  | |
FET-Merkmal  | -  | |
Verlustleistung (max.)  | 200W (Tc)  | |
Betriebstemperatur  | 150°C (TJ)  | |
Klasse  | -  | |
Qualifizierung  | -  | |
Montagetyp  | Durchkontaktierung  | |
Gehäusetyp vom Lieferanten  | TO-3P(N)  | |
Gehäuse / Hülle  | ||
Basis-Produktnummer  | 
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis | 
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.98000 | Fr. 2.98 | 
| 25 | Fr. 1.55840 | Fr. 38.96 | 
| 100 | Fr. 1.43470 | Fr. 143.47 | 
| 500 | Fr. 1.17478 | Fr. 587.39 | 
| 1’000 | Fr. 1.09173 | Fr. 1’091.73 | 
| 2’000 | Fr. 1.08400 | Fr. 2’168.00 | 
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.98000 | 
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.22138 | 


