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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK9J90E,S1E | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TK9J90ES1E-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK9J90E,S1E |
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 9A TO3P |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 900 V 9 A (Ta) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P(N) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK9J90E,S1E Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,3Ohm bei 4,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 900µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 46 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2000 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-3P(N) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.09000 | Fr. 3.09 |
| 25 | Fr. 1.66040 | Fr. 41.51 |
| 100 | Fr. 1.47220 | Fr. 147.22 |
| 500 | Fr. 1.20790 | Fr. 603.95 |
| 1’000 | Fr. 1.12303 | Fr. 1’123.03 |
| 2’000 | Fr. 1.12000 | Fr. 2’240.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.09000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.34029 |
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