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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Datenblatt
VS-50MT060WHTAPBF
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VS-50MT060WHTAPBF

DigiKey-Teilenr.
VS-50MT060WHTAPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
VS-50MT060WHTAPBF
Beschreibung
IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Halbbrücke 600 V 114 A 658 W Chassisbefestigung MTP
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Obsolet
IGBT-Typ
-
Konfiguration
Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
114 A
Leistung - Max.
658 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
3,2V bei 15V, 100A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
400 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
7.1 nF @ 30 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
12-poliges MTP-Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
MTP
Basis-Produktnummer
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