VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-ENQ030L120S
DigiKey-Teilenr.	VS-ENQ030L120SGI-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-ENQ030L120S
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Schlitz Dreistufiger Inverter 1200 V 61 A 216 W Chassisbefestigung EMIPAK-1B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Schlitz
Konfiguration	Dreistufiger Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	61 A
Leistung - Max.	216 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,52V bei 15V, 30A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	230 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	3.34 nF @ 30 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	EMIPAK-1B
Gehäusetyp vom Lieferanten	EMIPAK-1B
Basis-Produktnummer	ENQ030

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Manufacturer Quote Required

This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.

Melden Sie sich an oder registrieren Sie sich, um ein Angebot anzufordern