SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF510PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF510PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF510PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 5,6 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF510PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
540mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
180 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.62000Fr. 1.62
50Fr. 0.78460Fr. 39.23
100Fr. 0.70250Fr. 70.25
500Fr. 0.55834Fr. 279.17
1’000Fr. 0.51197Fr. 511.97
2’000Fr. 0.47298Fr. 945.96
5’000Fr. 0.43080Fr. 2’154.00
10’000Fr. 0.43000Fr. 4’300.00
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.75122