Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 1.62627 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF510STRRPBF
Digi-Key-Teilenr.	IRF510STRRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF510STRRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	64 Wochen
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 5,6 A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Oberflächenmontage D²PAK (TO-263)
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	540mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	180 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D²PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRF510

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	IRF510S, SiHF510S
Videodatei	MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN Montage/Herkunft	Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Datenblatt (HTML)	IRF510S, SiHF510S