IRF540PBF ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

IRF540PBF-BE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 16
Stückpreis : Fr. 2.79000
Datenblatt

Ähnlich

IRF540NPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 56’809
Stückpreis : Fr. 1.40000
Datenblatt

Ähnlich

IRF540ZPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.35000
Datenblatt

Ähnlich

PHP18NQ10T,127
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.51220
Datenblatt

Ähnlich

PSMN027-100PS,127
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.58670
Datenblatt

Ähnlich

STP24NF10
STMicroelectronics
Vorrätig: 179
Stückpreis : Fr. 1.69000
Datenblatt

Ähnlich

STP30NF10
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.18000
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF540PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF540PBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRF540PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 28 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF540PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
77mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF540
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Menge
Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.79000Fr. 2.79
50Fr. 1.40320Fr. 70.16
100Fr. 1.26890Fr. 126.89
500Fr. 1.03344Fr. 516.72
1’000Fr. 0.95780Fr. 957.80
2’000Fr. 0.89900Fr. 1’798.00
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.79000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.01599
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse seinAlle anzeigen
10 Artikel
IRF9540PBF

IRF9540PBF

MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB

Vishay Siliconix

Fr. 2.97000
IRF9540NPBF

IRF9540NPBF

MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB

Infineon Technologies

Fr. 1.55000
IRF530PBF

IRF530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

Vishay Siliconix

Fr. 1.94000
IRF740PBF

IRF740PBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

Fr. 2.79000
IRF3205PBF

IRF3205PBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

Infineon Technologies

Fr. 1.66000
DG408DY-E3

DG408DY-E3

IC MUX 8:1 100OHM 16SOIC

Vishay Siliconix

Fr. 2.91000
SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fr. 0.29000
VS-30BQ060-M3/9AT

VS-30BQ060-M3/9AT

DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fr. 0.73000
SS36-E3/57T

SS36-E3/57T

DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fr. 0.35000
W04G-E4/51

W04G-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOG

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fr. 0.96000