Name: IRF610PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610PBF-ND
Price: 1.13505 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF610PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF610PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF610PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 36W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF610PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	140 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	36W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF610

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.05000	Fr. 1.05
50	Fr. 0.49220	Fr. 24.61
100	Fr. 0.43730	Fr. 43.73
500	Fr. 0.34092	Fr. 170.46
1’000	Fr. 0.30990	Fr. 309.90
2’000	Fr. 0.28381	Fr. 567.62
5’000	Fr. 0.25555	Fr. 1’277.75
10’000	Fr. 0.23810	Fr. 2’381.00

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