Name: SI4153DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND
Price: 0.94047 CHF
Availability: InStock

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SI4153DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4153DY-T1-GE3
Beschreibung	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4153DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14,3A (Ta), 19,3A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3600 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)

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