SIHA22N60EL-E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA5N80AE-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHA5N80AE-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHA5N80AE-GE3
Beschreibung
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 3 A (Tc) 29W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,35Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
321 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
29W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.00000Fr. 1.00
50Fr. 0.58920Fr. 29.46
100Fr. 0.58020Fr. 58.02
500Fr. 0.52466Fr. 262.33
1’000Fr. 0.45962Fr. 459.62
2’000Fr. 0.44347Fr. 886.94
5’000Fr. 0.40335Fr. 2’016.75
10’000Fr. 0.39870Fr. 3’987.00
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