Parametrisches Äquivalent
Ähnlich
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SIHA6N65E-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHA6N65E-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHA6N65E-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 31W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 voller Pack |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1’992 | 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND | Fr. 2.31000 | Parametrisches Äquivalent |
| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOTF12N60-ND | Fr. 0.71500 | Ähnlich |
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW60R600P7SXKSA1-ND | Fr. 0.97000 | Ähnlich |
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW70R600CEXKSA1-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.31000 | Fr. 2.31 |
| 50 | Fr. 1.13860 | Fr. 56.93 |
| 100 | Fr. 1.02510 | Fr. 102.51 |
| 500 | Fr. 0.82612 | Fr. 413.06 |
| 1’000 | Fr. 0.76219 | Fr. 762.19 |
| 2’000 | Fr. 0.70843 | Fr. 1’416.86 |
| 5’000 | Fr. 0.65030 | Fr. 3’251.50 |
| 10’000 | Fr. 0.63878 | Fr. 6’387.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.31000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.49711 |





