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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

AOTF12N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 178
Stückpreis : Fr. 1.93000
Datenblatt

Ähnlich

FCPF600N60Z
onsemi
Vorrätig: 674
Stückpreis : Fr. 2.58000
Datenblatt

Ähnlich

FCPF7N60
onsemi
Vorrätig: 355
Stückpreis : Fr. 1.22000
Datenblatt

Ähnlich

R6007ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 500
Stückpreis : Fr. 1.25000
Datenblatt

Ähnlich

R6009ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 183
Stückpreis : Fr. 3.62000
Datenblatt

Ähnlich

R6009KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 576
Stückpreis : Fr. 2.05000
Datenblatt

Ähnlich

SIHF7N60E-E3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.46000
Datenblatt

Ähnlich

SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 146
Stückpreis : Fr. 2.26000
Datenblatt

Ähnlich

STF10N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 724
Stückpreis : Fr. 1.30000
Datenblatt

Ähnlich

STF10NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 455
Stückpreis : Fr. 3.15000
Datenblatt

Ähnlich

STF10NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 378
Stückpreis : Fr. 2.10000
Datenblatt

Ähnlich

STF11N60DM2
STMicroelectronics
Vorrätig: 429
Stückpreis : Fr. 1.90000
Datenblatt

Ähnlich

STF11N60M2-EP
STMicroelectronics
Vorrätig: 978
Stückpreis : Fr. 1.53000
Datenblatt

Ähnlich

STF11N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.70482
Datenblatt
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TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOTF12N60

DigiKey-Teilenr.
AOTF12N60-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOTF12N60
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
AOTF12
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