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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB33N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB33N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 150 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3508 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 278W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 16,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3’220 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | Fr. 6.22000 | Ähnlich |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | Fr. 7.71000 | Ähnlich |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | Fr. 7.16000 | Ähnlich |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2’682 | IPB60R125C6ATMA1CT-ND | Fr. 5.21000 | Ähnlich |
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 1’158 | IPB60R125CPATMA1CT-ND | Fr. 5.46000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.69000 | Fr. 5.69 |
| 10 | Fr. 3.83400 | Fr. 38.34 |
| 100 | Fr. 2.78520 | Fr. 278.52 |
| 500 | Fr. 2.33824 | Fr. 1’169.12 |
| 1’000 | Fr. 2.19479 | Fr. 2’194.79 |
| 2’000 | Fr. 2.16173 | Fr. 4’323.46 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.69000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 6.15089 |




