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Direkter Ersatz

SIHF15N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 725
Stückpreis : Fr. 2.88000
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 434
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Stückpreis : Fr. 0.00000
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Stückpreis : Fr. 2.78000
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Vorrätig: 1’914
Stückpreis : Fr. 2.62000
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Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.91144
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SIHF12N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF15N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHF15N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHF15N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
E
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
SIHF15
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100Fr. 1.50660Fr. 150.66
500Fr. 1.23580Fr. 617.90
1’000Fr. 1.14882Fr. 1’148.82
2’000Fr. 1.11000Fr. 2’220.00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.26000
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