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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1’487
Stückpreis : Fr. 4.20000
Datenblatt

Ähnlich

AOTF20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 949
Stückpreis : Fr. 3.38000
Datenblatt

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FCPF16N60NT
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.90098
Datenblatt

Ähnlich

FCPF190N60
onsemi
Vorrätig: 582
Stückpreis : Fr. 3.20000
Datenblatt

Ähnlich

FCPF20N60
onsemi
Vorrätig: 1’540
Stückpreis : Fr. 4.85000
Datenblatt

Ähnlich

FCPF22N60NT
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 695
Stückpreis : Fr. 3.29000
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Ähnlich

IPA60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.41276
Datenblatt

Ähnlich

IPA60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 9’226
Stückpreis : Fr. 2.78000
Datenblatt

Ähnlich

IPA60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 494
Stückpreis : Fr. 3.25000
Datenblatt

Ähnlich

R6020ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 462
Stückpreis : Fr. 3.37000
Datenblatt

Ähnlich

R6020KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 247
Stückpreis : Fr. 3.02000
Datenblatt

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R6024ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.81000
Datenblatt

Ähnlich

R6024KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 291
Stückpreis : Fr. 2.54000
Datenblatt
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SIHF12N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF22N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHF22N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHF22N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
SIHF22
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