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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 282
Stückpreis : Fr. 4.22000
Datenblatt

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 291
Stückpreis : Fr. 4.00000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 2’103
Stückpreis : Fr. 2.45000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 309
Stückpreis : Fr. 4.20000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 844
Stückpreis : Fr. 2.74000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 956
Stückpreis : Fr. 3.03000
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 196
Stückpreis : Fr. 1.36000
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.70000
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220-3

R6024ENX

DigiKey-Teilenr.
R6024ENX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6024ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6024ENX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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10Fr. 2.51900Fr. 25.19
100Fr. 1.95220Fr. 195.22
500Fr. 1.90404Fr. 952.02
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.81000
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