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Vishay Siliconix
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IXYS
Vorrätig: 0
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG33N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG33N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG33N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3508 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 16,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (23)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHG33N60E-E3Vishay Siliconix0SIHG33N60E-E3-NDFr. 2.84320Parametrisches Äquivalent
AOK42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1535-5-NDFr. 3.13654Ähnlich
FCH104N60onsemi0FCH104N60-NDFr. 0.00000Ähnlich
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2’000Fr. 2.33700Fr. 4’674.00
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