
SIHP12N60E-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP12N60E-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP12N60E-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP12N60E-E3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 380mOhm bei 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 937 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 147W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.58000 | Fr. 1.58 |
| 50 | Fr. 0.97500 | Fr. 48.75 |
| 100 | Fr. 0.94660 | Fr. 94.66 |
| 500 | Fr. 0.93120 | Fr. 465.60 |
| 1’000 | Fr. 0.87000 | Fr. 870.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.70798 |








