
AOT15S65L | |
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DigiKey-Teilenr. | 785-1511-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT15S65L |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 15A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17.2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 841 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 290mOhm bei 7,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP65R225C7XKSA1-ND | Fr. 3.01000 | Ähnlich |
| SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-E3-ND | Fr. 2.84000 | Ähnlich |
| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | Fr. 2.84000 | Ähnlich |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | Fr. 3.28000 | Ähnlich |
| STP15N65M5 | STMicroelectronics | 816 | 497-12936-5-ND | Fr. 2.62000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.19000 | Fr. 3.19 |
| 10 | Fr. 2.09500 | Fr. 20.95 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.19000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.44839 |

