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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1388 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 32W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 235mOhm bei 11A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | Fr. 3.16000 | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.37000 | Fr. 4.37 |
| 50 | Fr. 2.28100 | Fr. 114.05 |
| 100 | Fr. 2.07890 | Fr. 207.89 |
| 500 | Fr. 1.72488 | Fr. 862.44 |
| 1’000 | Fr. 1.61122 | Fr. 1’611.22 |
| 2’000 | Fr. 1.52100 | Fr. 3’042.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.37000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.72397 |
