Name: SIHP21N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP21N80AE-GE3-ND
Price: 4.5402 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHG21N80AE-GE3

Vishay Siliconix

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SIHP21N80AE-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHP21N80AE-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP21N80AE-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,4A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	235mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1388 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	32W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP21

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1	Fr. 4.20000	Fr. 4.20
50	Fr. 2.18920	Fr. 109.46
100	Fr. 1.99530	Fr. 199.53
500	Fr. 1.65548	Fr. 827.74
1’000	Fr. 1.56200	Fr. 1’562.00

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