SIHP22N60E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.94000
Datenblatt

Ähnlich

AOT20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 1’248
Stückpreis : Fr. 3.38000
Datenblatt

Ähnlich

AOT27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3’155
Stückpreis : Fr. 3.36000
Datenblatt

Ähnlich

FCP170N60
onsemi
Vorrätig: 790
Stückpreis : Fr. 3.46000
Datenblatt

Ähnlich

FCP190N60E
onsemi
Vorrätig: 1’444
Stückpreis : Fr. 3.44000
Datenblatt

Ähnlich

FCP190N65F
onsemi
Vorrätig: 1’659
Stückpreis : Fr. 3.62000
Datenblatt

Ähnlich

FCP20N60
onsemi
Vorrätig: 1’807
Stückpreis : Fr. 3.81000
Datenblatt

Ähnlich

FCP22N60N
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.29000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 260
Stückpreis : Fr. 3.21000
Datenblatt

Ähnlich

IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.14524
Datenblatt

Ähnlich

IXFP22N65X2
IXYS
Vorrätig: 4’400
Stückpreis : Fr. 5.10000
Datenblatt

Ähnlich

IXFP24N60X
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.47160

Ähnlich

IXTP24N65X2
IXYS
Vorrätig: 255
Stückpreis : Fr. 5.42000
Datenblatt
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TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB

SIHP22N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP22N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHP22N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
E
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP22
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100Fr. 1.87630Fr. 187.63
500Fr. 1.65722Fr. 828.61
1’000Fr. 1.45000Fr. 1’450.00
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.23000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.49163