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SIHP28N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP28N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP28N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP28N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 140 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3405 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 112mOhm bei 14A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP125N60E | onsemi | 232 | FCP125N60E-ND | Fr. 4.83000 | Ähnlich |
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | 683 | 448-IPP60R099P7XKSA1-ND | Fr. 4.35000 | Ähnlich |
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 2’332 | IPP60R125CPXKSA1-ND | Fr. 5.78000 | Ähnlich |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 621 | 497-11335-5-ND | Fr. 9.13000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.30095 | Fr. 2’300.95 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.30095 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.48733 |




