Name: SIZ350DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ350DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZ350DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZ350DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ350DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZ350DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZ350DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 18,5 A (Ta), 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc) Oberflächenmontage 8-Power33 (3x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18,5 A (Ta), 30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,75mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20,3nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	940pF bei 15V
Leistung - Max.	3,7W (Ta), 16,7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-Power33 (3x3)
Basis-Produktnummer	SIZ350