Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.42144 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZF5300DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF5300DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF5300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZF5300DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 35A (Ta), 125A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAIR® 3x3FS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZF5300DT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 125A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,43mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1480pF bei 15V
Leistung - Max.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	12-PowerPair™
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAIR® 3x3FS
Basis-Produktnummer	SIZF5300