Name: SUM50020EL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM50020EL-GE3TR-ND
Price: 3.50244 CHF
Availability: OutOfStock

SUM50020EL-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.00000

Ähnlich

Nexperia USA Inc.

Vorrätig: 38

Stückpreis : Fr. 4.44000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 978

Stückpreis : Fr. 2.42000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUM50020EL-GE3
DigiKey-Teilenr.	SUM50020EL-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUM50020EL-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUM50020EL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUM50020EL-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,1mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11113 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SUM50020