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SUP90N06-6M0P-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SUP90N06-6M0P-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SUP90N06-6M0P-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SUP90N06-6M0P-E3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 120 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4700 pF @ 30 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 272W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6mOhm bei 20A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SUP50010E-GE3 | Vishay Siliconix | 54 | SUP50010E-GE3-ND | Fr. 4.05000 | Vom Hersteller empfohlen |
| CSD18533KCS | Texas Instruments | 11’262 | 296-35013-ND | Fr. 1.92000 | Ähnlich |
| FDP070AN06A0 | onsemi | 804 | FDP070AN06A0-ND | Fr. 2.51000 | Ähnlich |
| FDP5800 | onsemi | 66 | FDP5800-ND | Fr. 2.59000 | Ähnlich |
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | 786 | 448-IRFB3307PBF-ND | Fr. 2.66000 | Ähnlich |







