SUP90N06-6M0P-E3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP90N06-6M0P-E3
DigiKey-Teilenr.	SUP90N06-6M0P-E3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUP90N06-6M0P-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SUP90N06-6M0P-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4700 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,75W (Ta), 272W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SUP90

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