C2M0280120D Wolfspeed, Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

C2M0280120D
DigiKey-Teilenr.	C2M0280120D-ND
Hersteller	Wolfspeed, Inc.
Hersteller-Teilenummer	C2M0280120D
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 62,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Wolfspeed, Inc.
Serie	Z-FET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	370mOhm bei 6A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 1,25mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20.4 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	259 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	62,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	C2M0280120

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