
C3M0120065D | |
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DigiKey-Teilenr. | 1697-C3M0120065D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | C3M0120065D |
Beschreibung | 650V 120M SIC MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 98W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | C3M0120065D Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 157mOhm bei 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,6V bei 1,86mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 28 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +19V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 640 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 98W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-3 | |
Gehäuse / Hülle |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 7.55000 | Fr. 7.55 |
10 | Fr. 5.86800 | Fr. 58.68 |
30 | Fr. 5.37667 | Fr. 161.30 |
120 | Fr. 4.93808 | Fr. 592.57 |
270 | Fr. 4.75033 | Fr. 1’282.59 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 7.55000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 8.16155 |