CAB006M12GM3
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CAB006M12GM3

CAB006M12GM3

DigiKey-Teilenr.
1697-CAB006M12GM3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
CAB006M12GM3
Beschreibung
SIC 2N-CH 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
CAB006M12GM3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Wolfspeed, Inc.
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,9mOhm bei 200A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 69mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
708nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
20400pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
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