Leistungstreibermodule

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Typ
Konfiguration
Strom
Spannung
Spannung - Isolation
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3’214
Vorrätig
1 : Fr. 9.16000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 4.22303
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
20 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
2’239
Vorrätig
1 : Fr. 12.38000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
328
Vorrätig
1 : Fr. 18.11000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
-
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
307
Vorrätig
1 : Fr. 20.36000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
SPM27CC
FSBB30CH60C
MODULE SPM 600KV 30A 27PWRDIP
onsemi
149
Vorrätig
1 : Fr. 23.10000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1’537
Vorrätig
1 : Fr. 23.35000
Gurtabschnitt (CT)
2’000 : Fr. 11.02500
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
52-VQFN mit freiliegendem Pad
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
230
Vorrätig
240
Fabrik
1 : Fr. 25.46000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
240
Vorrätig
1 : Fr. 32.08000
Gurtabschnitt (CT)
250 : Fr. 22.12980
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
52-VQFN mit freiliegendem Pad
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
Vorrätig
1 : Fr. 192.58000
Tablett
Tablett
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Modul
35
Vorrätig
1 : Fr. 594.00000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET
3 Phasen
10 A
50 V
-
-
-
Oberflächenmontage
18-SMD-Modul
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
183
Vorrätig
1 : Fr. 80.87000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,094", 27,80mm)
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8’700
Vorrätig
1 : Fr. 2.32000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 0.66938
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
30 A
-
-
-
-
Oberflächenmontage
22-poliges PowerVFQFN-Modul
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
2’069
Vorrätig
1 : Fr. 4.55000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 1.67063
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
70 A
30 V
-
-
-
Oberflächenmontage
39-PowerVFQFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2’016
Vorrätig
1 : Fr. 5.92000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 2.76413
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
8-PowerVDFN
NV6115
NV6117-RA
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3’002
Vorrätig
1 : Fr. 6.70000
Gurtabschnitt (CT)
1’000 : Fr. 2.76413
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
8-PowerVDFN
260
Vorrätig
1 : Fr. 9.22000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
6 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
116
Vorrätig
1 : Fr. 9.76000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
573
Vorrätig
1 : Fr. 9.93000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
275
Vorrätig
1 : Fr. 10.78000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
250
Vorrätig
1 : Fr. 10.99000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
145
Vorrätig
1 : Fr. 13.55000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
130
Vorrätig
1 : Fr. 13.87000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41060
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
onsemi
101
Vorrätig
1 : Fr. 13.87000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
315
Vorrätig
1 : Fr. 14.75000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB43060T2
MODULE SPM 600V 30A SPMAB
onsemi
18
Vorrätig
1 : Fr. 17.14000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
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Leistungstreibermodule


Leistungstreibermodule bieten die physische Hülle für Leistungskomponenten, in der Regel IGBTs und MOSFETs in einer Halbbrücke oder in ein-, zwei- oder dreiphasigen Konfigurationen. Die Leistungshalbleiter oder Chips werden auf ein Substrat gelötet oder gesintert, das die Leistungshalbleiter trägt und bei Bedarf elektrischen und thermischen Kontakt sowie elektrische Isolierung bietet. Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsdichte und sind in vielen Fällen zuverlässiger und leichter zu kühlen.