Nexperia

Kaskoden-GaN-FETs

Die GaN-FETs von Nexperia bieten Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit von Stromversorgungssystemen

Abbildung: Kaskoden-GaN-FETs von NexperiaDie Kaskoden-GaN-FETs von Nexperia bieten eine hohe Leistungsdichte, Performance und Schaltfrequenz. Die sehr hohe Elektronenbeweglichkeit von GaN ermöglicht die Herstellung von Geräten mit niedrigem Einschaltwiderstand und außergewöhnlich hoher Schaltfrequenz, die für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation, wie Industrie 4.0 und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien, unerlässlich sind. Die einzigartige Kaskoden-GaN-FET-Lösung ermöglicht die einfache Ansteuerung von Geräten mit bekannten Si-MOSFET-Gate-Treibern. Sie bieten eine unübertroffen hohe Sperrschichttemperatur [Tj (max.) = +175 °C], Designfreiheit und eine verbesserte Zuverlässigkeit von Stromversorgungssystemen.

Cascode GaN FETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Sofort$10.93Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Sofort$9.00Details anzeigen
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Sofort$11.11Details anzeigen
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247313 - Sofort$8.72Details anzeigen
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Sofort$9.35Details anzeigen
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS601 - Sofort$11.11Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-09-04

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