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GaN-FETs
Die GaN-FETs von Nexperia erhöhen Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit
Die GaN-FETs von Nexperiaermöglichen kleinere, schnellere, kühlere und leichtere Systeme mit niedrigeren Gesamtsystemkosten. Effiziente Energienutzung ist eine zentrale industrielle Herausforderung und ein Motor für Innovationen. Gesellschaftlicher Druck und die Gesetzgebung fordern immer höhere Effizienz bei der Energieumwandlung und -kontrolle. Bei einigen Anwendungen sind die Leistungsumwandlungseffizienz und die Leistungsdichte entscheidend für die Marktakzeptanz. Paradebeispiele sind der Trend zur Automobilelektrifizierung sowie die Bereiche Hochspannungskommunikation und industrielle Infrastruktur.
Anwendungen
- Einfach anzusteuern mit 4 V Schwellenspannung
- Hervorragende Substratdiode (niedrige VF) für geringere Verluste im Rückwärtsleitungsbetrieb
- Ultraniedrige QRR für schnelles Umschalten
- Widersteht transienten Überspannungen bis 800 V
- Robustes Gate-Oxid (±20-V-Fähigkeit)
Anwendungen
- Netzteile für Server und Telekommunikation
- Batteriespeicherung und USV
- Industrieautomatisierung
- Platineneigene Ladegeräte (OBC)
- DC/DC-Leistungswandlung
- Traktionswechselrichter
GaN FETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 650 V | 34,5 A (Tc) | 10V | 536 - Sofort | $22.45 | Details anzeigen |
| | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 650 V | 47,2A (Tc) | 10V | 304 - Sofort | $13.91 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2020-09-30
Schweiz