Gate-Treiber-Schaltkreis SCT2H12NZ

Der SCT2H12NZ von ROHM bietet die hohe Durchbruchspannung, die für Notstromversorgungen in Industrieanlagen erforderlich ist. Leitungsverluste sind gegenüber herkömmlichen Silizium-MOSFET um das Achtfache reduziert, was zu einer erhöhten Energieeffizienz beiträgt.

Optimiert für Notstromversorgungen in Industrieanlagen

Im Vergleich zu in industriellen Notstromversorgungen eingesetzten 1500-V-Silizium-MOSFET bietet der SCT2H12NZ eine höhere Durchbruchspannung (1700 V) mit um das Achtfache reduziertem Betriebswiderstand (1,15 Ω). Darüber hinaus hält das kompakte TO-3PFM-Gehäuse die für industrielle Anlagen erforderliche Kriechstrecke (entlang der Oberfläche des Isoliermaterials gemessene Entfernung) ein. ROHM wird einen SMT-Typ (TO268-2 L) herausbringen, der ebenfalls eine ordnungsgemäße Kriechstrecke bietet.

Verbesserte Effizienz in Kombination mit dem dedizierten IC von ROHM

In Verbindung mit dem speziell für SiC-MOSFET-Treiber konzipierten AC/DC-Wandler-Steuer-IC (BD7682FJ-LB) von ROHM ermöglicht dieser neueste SiC-MOSFET eine Maximierung der Performance und erhöht den Wirkungsgrad um bis zu 6 %. Gleichzeitig wird die Hitzeentwicklung reduziert, was thermische Gegenmaßnahmen verringert und damit die Verwendung von kleineren Bauteilen erlaubt.

Isolierung von 3,75 kV

Durch Hinzufügen von BM61M41RFV oder BM61S40RFV sind Anwender in der Lage, einen Gate-Treiber mit einer Isolationsspannung von 3750 V_RMS, einer E/A-Verzögerungszeit von 65 ns und einer minimalen Eingangsimpulsbreite von 60 ns zu erhalten. Er verfügt über ein Unterspannungsabschaltfunktion (UVLO) sowie eine Miller-Klemme.