VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Sofort$250.53Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Sofort$442.72Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Sofort$588.36Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Sofort$353.78Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Sofort$294.92Details anzeigen
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Sofort$280.60Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE2 - Sofort$978.57Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Sofort$1,077.94Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE8 - Sofort$844.09Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE4 - Sofort$531.73Details anzeigen
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST234 - Sofort$12.63Details anzeigen
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR438 - Sofort$13.33Details anzeigen
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR0 - Sofort$6.48Details anzeigen
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST704 - Sofort$23.23Details anzeigen
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST2669 - Sofort$9.43Details anzeigen
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR335 - Sofort$9.20Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Sofort$2.75Details anzeigen
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST289 - Sofort$13.75Details anzeigen
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3525 - Sofort$10.12Details anzeigen

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

Datum der Veröffentlichung: 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Datum der Veröffentlichung: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Datum der Veröffentlichung: 2023-06-22

Related Product Highlight

SiC-MOSFETs SCT der 4. Generation Die Siliziumkarbid-MOSFETs der 4. Generation von ROHM wurden entwickelt, um in anspruchsvollen Anwendungen eine überlegene Effizienz und Performance zu erzielen.
SiC-MOSFETs der 4. Generation Die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM zeichnen sich durch geringe Schaltverluste und die Unterstützung einer Gate-Source-Spannung von 15 V aus, was zur Energieeinsparung der Komponenten beiträgt.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

Verringerung von Verlusten, Verbesserung des Wirkungsgrads und Erweiterung des Temperaturbereichs bei Anwendungen mit hoher Leistung SiC-MOSFETs der 4. Generation können eingesetzt werden, um den Wirkungsgrad erheblich zu verbessern, die Kosten zu senken und die Größe von Hochspannungs- und Hochleistungs-Steuerschaltungen zu reduzieren.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.