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MOSFETS für mittlere Spannungen für industrielle Anwendungen
Vishays neueste Technologie-Plattformen TrenchFET® Gen IV und ThunderFET® bieten einen hervorragenden RDS (ON)-Qg-Ertrag
Vishay robustes Portfolio erhöht die Performance von Leistungsregelungsdesigns in einem breiten Spektrum von Märkten. Es macht natürliche Energiequellen wie Sonnenlicht zu Strom und bereichert so unser Leben. All diese Produkte, zusammen mit der E-Serie-Super-Junction-MOSFET, Strommesswiderständen und den passiven Produkten im Vishay-Portfolio bilden das Rückgrat vieler erfolgskritischer Designs und gewährleisten eine stabile Stromausbeute.
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Merkmale
- RDS(on) wurde im Vergleich zur Vorgängergeneration um 35 % bis 60 % gesenkt, während ladungsbalancierte Architektur Qg um 10 bis 30 % reduziert und so die Effizienz verbessert und die Verlustleistung reduziert.
- Ermöglicht mehr Ausgangsstrom pro Komponente aufgrund reduzierten Leitungsverlustes durch I2R
- Erhöht die Leistungsdichte von Designs entweder durch höhere Leistung pro Komponente oder Senkung der Zahl an erforderlichen parallelen Komponenten
- Potenzial für niedrigere Temperaturen verbessert die Zuverlässigkeit des finalen Designs in Schaltanwendungen
- Herkömmliche TO-220 und D2PAK-Gehäuseoptionen erhältlich, einschließlich 7-poliges D2PAK
- Hochleistungs-7-Pin D2PAK 100 V (SUM70040M) erhöht die Kontaktfläche auf der Leiterplatte, um die Hochstrom-Designs für die verschiedensten industriellen Anwendungen zu handhaben
- Qgd / q-Faktorgs < 1 und geringere Qgd verbessert die Immunität gegen Shoot-Through
- Das fein abgestimmte Qgd/qgs- Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften
- Die benötigte Zeit zum Durchlaufen der Miller-Plateauspannung ist kürzer, was zu schnellerem Ein- und Ausschalten führt
- Optimierte Wechselspannungseigenschaften erhöhen potenziell die Effizient der Schaltnetzteil-Stromversorgung zu erhöhen, bei denen als Synchrongleichrichter verwendet
- 175°C maximale Sperrschalttemperatur
Anwendungen
Diese Produkte wandeln natürliche rohe Energie vom Stecker zum Abnehmer Versorgungsstrom um und decken so die klassischen industriellen Anwendungen mit Eingangsströmen von 24 V bis 72 V ab, wie zum Beispiel:
- Netzadapter
- DC-DC-Wandler (isolierte Topologien)
- Synchron-Gleichrichtung in ATX-Netzteilen
- Motorantriebssteuerung
- Elektrowerkzeuge
- Umrichter
- Solar-Mikroinverter
- ODER-ierung in redundanten Leistungsarchitekturen für Telekommunikationsanlagen und Server
- Schaltkreis- und Verpolungsschutz für 24 V bis 48-V-Batterie
- Batterie- und Last-Schaltung in Batteriemanagement-Modulen
- Klasse-D-Verstärker, mit Halb- oder Vollbrücken-Topologien
- Ladestationen für e-Fahrzeuge
Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SUM50020EL-GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | 0 - Sofort | $3.24 | Details anzeigen |
|  | SUP50020EL-GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 106 - Sofort | $2.82 | Details anzeigen |
| | SUM60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263 | 634 - Sofort | $3.23 | Details anzeigen |
| | SUP60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | 888 - Sofort | $2.88 | Details anzeigen |
|  | SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 390 - Sofort | $2.88 | Details anzeigen |
| | SUM70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 1359 - Sofort | $2.12 | Details anzeigen |
| | SUP70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 586 - Sofort | $2.90 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2015-11-25
Schweiz