Name: DMN62D1LFDQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN62D1LFDQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN62D1LFDQ-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN62D1LFDQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN62D1LFDQ-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 400mA (Ta) 500mW Oberflächenmontage U-DFN1212-3 (Typ C)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0.55 nC @ 4.5 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 36 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 400mA (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4V	Gehäusetyp vom Lieferanten U-DFN1212-3 (Typ C)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2Ohm bei 100mA, 4V	Gehäuse / Hülle 3-PowerUDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMN62

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 37

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)