Name: DMT10H072LFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDFQ-7TR-ND
Price: 0.79994 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT10H072LFDFQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H072LFDFQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT10H072LFDFQ-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H072LFDFQ-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.5 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 228 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten U-DFN2020-6 (Typ F)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 62mOhm bei 4,5A, 10V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMT10

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 0

Informationen zur Lieferzeit

Bestandsbenachrichtigung anfordern

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)