RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
4 SMDB, No Lead
FBG20N18BC
FBG20N18BC

FBG20N18BC

DigiKey-Teilenr.
4107-FBG20N18BC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FBG20N18BC
Beschreibung
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Spannung - Test
100 V
Hersteller
EPC Space, LLC
Strom - Test
18 A
Serie
Spannung - Nennwert
200 V
Verpackung
Lose im Beutel
Montagetyp
Oberflächenmontage
Status der Komponente
Aktiv
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse
Technologie
GaN HEMT
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SMD
Konfiguration
N-Kanal
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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10Fr. 199.81400Fr. 1’998.14
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