RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
4 SMDB, No Lead

FBG20N18BSH

DigiKey-Teilenr.
4107-FBG20N18BSH-ND
Hersteller
EPC Space, LLC
Hersteller-Teilenummer
FBG20N18BSH
Beschreibung
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Spannung - Test
100 V
Hersteller
EPC Space, LLC
Strom - Test
18 A
Serie
Spannung - Nennwert
200 V
Verpackung
Lose im Beutel
Montagetyp
Oberflächenmontage
Status der Komponente
Aktiv
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse
Technologie
GaN HEMT
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SMD
Konfiguration
N-Kanal
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Dokumente und Medien
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 37
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Menge
Alle Preise in CHF
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 308.79000Fr. 308.79
10Fr. 296.56500Fr. 2’965.65
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 308.79000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 333.80199
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