Name: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Price: 159.6637 CHF
Availability: InStock

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FF4MR12W2M1HB11BPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 170A (Tj) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	170A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4mOhm bei 200A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 80mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	594nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17600pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FF4MR12

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