Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.03228 CHF
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGB110S10S1XTMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-4-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGB110S10S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 10A, 5V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,9V bei 3mA
Serie CoolGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3.4 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6,5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 340 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Ta), 23 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-4-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 4-PowerTDFN